История:
IXYH60N90C3
IXYH24N90C3D1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXYH24N90C3D1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
44 A
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH24N90C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXYH24N90C3D1 в каталоге Components.by