История:
MDM-20
IXYP20N120C3
IXYN100N65C3H1
IXYH40N120C3
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXYH40N120C3
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
70 A
Power Dispation
577 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N120C3: Биполярный транзистор с изолированным затвором

