История:
475113-050
10AX057K2F40E2LG
0447010.YXP
ACC-021-C
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
IXYH40N65C3H1
IXYH40N65C3H1
IXYH40N65C3H1
Артикул:
Описание:
IXYH40N65C3H1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N65C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
300 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH40N65C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

