Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXYH50N120C3D1

IXYH50N120C3D1

IXYH50N120C3D1
IXYH50N120C3D1
Артикул:
Описание: IXYH50N120C3D1
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 4.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 90 A
Power Dispation 625 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH50N120C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 4.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 90 A
Power Dispation 625 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH50N120C3D1: Биполярный транзистор с изолированным затвором