История:
IRGPS60B120KDP
IRG4BC30WPBF
IRGP4650D-EPBF
IXYH50N65C3H1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXYH50N65C3H1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.74 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
130 A
Power Dispation
600 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYH50N65C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXYH50N65C3H1 в каталоге Components.by