История:
054322
122485
450759
2N3711
055036
0RBOX002Z
059401
067584
STGIPL14K60
RN2302,LF
2N2405
021781
059931
058900
049485
105485
068185
105541
122479
BSM100GD60DLC
BSM75GD120DLC
187653
P2103ACL60
P2300ECL
LCP1531RL
BSM30GD60DLC
BSM50GD60DLC
BSM75GD60DLC
BSM50GD120DN2
BSM75GD120DN2
STGWA40H65DFB2
P2000SBLRP
099320
IXYN80N90C3H1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.7 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
115 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXYN80N90C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль IXYN80N90C3H1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by