IXYN82N120C3H1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXYN82N120C3H1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.75 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
105 A
Power Dispation
500 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYN82N120C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор IXYN82N120C3H1 в каталоге Components.by