Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: Z0109MA 5AL2 ADTC124ECAQ-13 A1P35S12M3 A2C35S12M3 APT30GP60JDQ1 APT40GP60B2DQ2G STGW40V60F STGY50NC60WD 2N3054A K2500SRP AC0201FR-072M2L 184509 APT85GR120B2 APT75GP120JDQ3 5406000 K3601G ACST1235-7G T810-600B AC0201FR-071ML K3002G UMH1NFHATN K2502G APTGLQ300H65G K2501G Z0109MA 2AL2 Z0109M1 055109 105534 ZXTP5401GTA K3601GL K2501GL 096113 K2002GRP T830-8FP STGWA40H65DFB FD150R12RT4 TPDV840RG K2000GAP

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

IXYN82N120C3H1

IXYN82N120C3H1

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

IXYN82N120C3H1

Описание: IXYN82N120C3H1

Характеристики

Manufacturer IXYS

Collector-Emitter Voltage 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 2.75 V

Maximum Gate Emitter Voltage 30 V

Continuous Collector Current at 25 C 105 A

Power Dispation 500 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-IXYN82N120C3H1: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор IXYN82N120C3H1 в каталоге Components.by