IXYT25N250CHV
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
IXYT25N250CHV
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector-Emitter Voltage
2500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
95 A
Power Dispation
937 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-IXYT25N250CHV: Биполярный транзистор с изолированным затвором