История:
M12A03Z-MASSTUA
2SD1816S-E
MG06200S-BN4MM
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Littelfuse
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.45 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
300 A
Power Dissipation
600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06200S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль MG06200S-BN4MM в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by