История:
2RM120M-5
MV1N8166US
V680ZT05P
MG06300D-BN4MM
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Littelfuse
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.45 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
400 A
Power Dissipation
940 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06300D-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet