История:
AC0201FR-074K75L
T2035T-8G
AGN210A09
FZ400R65KE3
235210-010
AC0201FR-07180RL
AC0201FR-0722KL
LSP10GI240PX3316
FZ800R12KS4_B2
AC0603FR-0710ML
DGTD65T15H2TF
APTGLQ150A120TG
F4-200R06KL4
235213-010
HBL5006P2T5G
A1225UC4LTP
2N2322 TIN/LEAD
FP25R12KS4C
AC0201FR-07510KL
FP25R12W2T4PBPSA1
2DD1664R-13
FZ600R17KE3
LSP05G240SN
MG12150W-XN2MM
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Littelfuse
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Configuration
3-Phase Inverter
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
200 A
Power Dissipation
625 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG12150W-XN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль MG12150W-XN2MM в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

