История:
2N2222A
APT75GP120J
MG12200D-BN2MM
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Littelfuse
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
300 A
Power Dissipation
1400 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG12200D-BN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet