История:
UMG4NTR
YAT-1A
APT50GS60BRDQ2G
608-369A
BTA06T-600CWRG
APTGL475U120DAG
5M80ZE64C5N
K2200GHRP
APTGL60H120T3G
2DA1213O-13
K0900GURP
STGIB10CH60TS-L
2DD2098R-13
APTGT400DA120G
PBSS5560PA,115
AC0201FR-076K49L
T1235T-8G
STB6-TW-PE
ISL24212IRTZ
NSVMSD601-RT1G
DPAN02W8-15
IXGT72N60A3
KWasar15T250
LSP05240PX3316
MG1275W-XN2MM
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Littelfuse
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Configuration
3-Phase Inverter
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
105 A
Power Dissipation
368 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1275W-XN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль MG1275W-XN2MM в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by