MID550-12A4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
1.6 uA
Continuous Collector Current
670 A
Power Dissipation
2.75 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID550-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet