MIEB100W1200TEH
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
200 nA
Continuous Collector Current
183 A
Power Dissipation
630 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIEB100W1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet