История:
ACST310-8BTR
ADA114EUQ-7
LSP05GI120PH
2N3467
DS1.5-PE
A2C25S12M3
2010056160
P0721SDLRP
2N6349AG
STGW80H65DFB-4
1616-50
BCR135E6327HTSA1
0034.4226
BCR108E6433HTMA1
PUMH30,115
AD8611ARMZ-REEL
LSP05240PX3333
475104-030
BCT40T48S24
DGP4-01P-01
BSM10GP120
K1300G
K1050G
ACT108-600D,412
A2C50S65M2-F
MIXA100W1200TEH
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
155 A
Power Dissipation
500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA100W1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль MIXA100W1200TEH в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by