MIXA10WB1200TML
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
17 A
Power Dissipation
63 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA10WB1200TML: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

