История:
DA-016-F
122211
122197
186194
001924
186379
122455
ACST210-8B
061993
5401200
5405900
025217
HC85AY-1
185831
101789
APT45GP120JDQ2
025722
STGIPS14K60
C291NSE7FHA
001926
094109
067444
059415
054318
096125
099293
CP-200R
186177
054814
128670
094821
186187
058897
2N1131
186411
121704
001894
059430
184394
101957
022411
2N2907A
001785
STGYA120M65DF2
101948
060772
186413
054736
101904
093742
2N3250
063928
APT40GP90JDQ2
065039
AA77AB0
055013
101783
2N3053
105477
025633
078703
096431
096329
188044
2N3585
062858
021793
093898
100462
LSP05240LLPM
096030
094156
MIXA150R1200VA
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
220 A
Power Dissipation
695 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA150R1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль MIXA150R1200VA в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

