MIXA20WB1200TED
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
28 A; 17 A
Power Dissipation
100 W; 60 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA20WB1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet