MIXA225PF1200TSF
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
1.5 uA
Continuous Collector Current
360 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA225PF1200TSF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet