История:
2N3117
2N3020
APTC60HM83FT2G
2N3108
LSP05480PM
2N3708
2N2926
APT50GP60JDQ2
ZXTP25100CFHTA
2N3705
AVS1ACP08
APT80GA90LD40
ACST1035-7FP
APT80GA60LD40
2N3584
IXBOD2-50R
2N3715
100474
2N2925
2N3716
LSP05480P
2N2923
099314
061444
ASO-220
058904
APT100F50J
021782
126980
095878
LSP05GI347P
058937
2N3707
093860
054592
027654
049585
049362
049592
021778
186170
STGIPS20C60
096407
MIXA61H1200ED
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
85 A
Power Dissipation
290 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA61H1200ED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль MIXA61H1200ED в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

