MIXA61H1200ED
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
85 A
Power Dissipation
290 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA61H1200ED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet