История:
2N2926
APT50GP60JDQ2
ZXTP25100CFHTA
2N3705
AVS1ACP08
APT80GA90LD40
ACST1035-7FP
APT80GA60LD40
2N3584
IXBOD2-50R
2N3715
100474
2N2925
2N3716
LSP05480P
2N2923
099314
061444
ASO-220
058904
APT100F50J
021782
126980
095878
LSP05GI347P
058937
2N3707
093860
054592
027654
049585
049362
049592
021778
186170
STGIPS20C60
096407
MIXA80R1200VA
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
120 A
Power Dissipation
390 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA80R1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль MIXA80R1200VA в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by