История:
2N3669 PBFREE
K2500GURP
MKP1V240RLG
FF300R12KE3_B2
APTLGT400A608G
AC0201FR-07348KL
2SA1162-O,LF
STB2.5-TW-PE
K1500GRP
VII130-06P1
APTGT75H60T3G
FF300R12KE3
RM8/I-3F46
FF450R12KE4
FZ600R17KE4
AC0201FR-074K75L
T2035T-8G
AGN210A09
FZ400R65KE3
235210-010
AC0201FR-07180RL
AC0201FR-0722KL
LSP10GI240PX3316
FZ800R12KS4_B2
AC0603FR-0710ML
DGTD65T15H2TF
APTGLQ150A120TG
F4-200R06KL4
235213-010
HBL5006P2T5G
A1225UC4LTP
2N2322 TIN/LEAD
FP25R12KS4C
AC0201FR-07510KL
FP25R12W2T4PBPSA1
2DD1664R-13
FZ600R17KE3
LSP05G240SN
MIXA80WB1200TEH
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
120 A
Power Dissipation
390 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA80WB1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль MIXA80WB1200TEH в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

