MKI100-12F8
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
125 A
Power Dissipation
640 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI100-12F8: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet