MUN5213DW1T3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hFE Min
80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Pd - Power Dissipation
187 mW, 256 mW
Package/Case
SOT-363
Описание
MUN5213DW1T3G
Биполярный транзистор - MUN5213DW1T3G
Биполярные транзисторы - Pre-Biased доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MUN5213DW1T3G ON Semiconductor.