MWI30-06A7T
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
200 nA
Continuous Collector Current
45 A
Power Dissipation
140 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI30-06A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet