MX2N5115 Microchip Technology
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
MX2N5115 Microchip Technology
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
6 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 60 mA
Id - Continuous Drain Current
-1 nA
Maximum Drain Gate Voltage
30 V
Pd - Power Dissipation
0.5 W
Rds On - Drain-Source Resistance
100 Ohms
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Brand
Microchip Technology
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор MX2N5115 Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MX2N5115 Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MX2N5115 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.