История:
023591
0269.031V
0272.031V
095875
T2001N36TOF VT
NGB8207ABNT4G
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
NGB8207ABNT4G
Характеристики
Manufacturer
Littelfuse
Collector-Emitter Voltage
365 V
Maximum Gate Emitter Voltage
15 V
Continuous Collector Current at 25 C
20 A
Power Dispation
165 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGB8207ABNT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором

