Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
NGD8201BNT4G
NGD8201BNT4G
NGD8201BNT4G
Артикул:
Описание:
NGD8201BNT4G
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGD8201BNT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGD8201BNT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором