Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: 2305A-1DCG8 2LS20017E42W34854 VUB145-16NOXT BTB06-600TRG BTB12-600BWRG APTGTQ200A65T3G 2N2326A TIN/LEAD MIXA10WB1200TML 101KD20J-FTB 5M40ZE64A5N P14/8-4C65 F12-25R12KT4G BCX52-16,135 BTB16-600CW3G AC0201FR-071K15L AUIRGPS4070D0 FGH25N120FTDS CST26/13/29-4S2 APTGT200DU120G CPH3123-TL-E 2N2325 PBFREE AC0603FR-07182RL TDB6HK360N16P BTA06-600SRG M8A03Z-MMSST-SC001B IKA08N65F5 MKI50-06A7 MG06150S-BN4MM 5M160ZE64C5N AC0201FR-07390KL SGD02N120 APTGT150A60T1G RM4/I-3C90 ROD6/25-4B1 M12A03Z-MASRAUA MG12400D-BN2MM BTB24-600BWRG RM7/I-3F36 MIEB100W1200TEH BTA25-600CW3G BTA12-600CW3G IKD03N60RFATMA1

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

NGTB03N60R2DT4G

NGTB03N60R2DT4G

NGTB03N60R2DT4G

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

NGTB03N60R2DT4G

Описание: NGTB03N60R2DT4G

Характеристики

Manufacturer ON Semiconductor

Collector-Emitter Voltage 600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 9 A

Power Dispation 49 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-NGTB03N60R2DT4G: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор NGTB03N60R2DT4G в каталоге Components.by