История:
2SB1202S-TL-E
IGB50N60TATMA1
VS-ETF150Y65U
APTGT50DDA120T3G
YAT-20A
APTGT100H60TG
PZT4401,115
PLT58/38/4-3F4
BCR8FM-14LJ
AC0201FR-0749R9L
STGW15H120F2
FGH40T65SPD-F155
AC0201FR-0717R4L
MLI080505-150-10
MKP1V130RLG
IGW100N60H3
AC0201FR-078K06L
AC0201FR-0715KL
RN2903,LF(CT
AC0201JR-071KL
MG1250S-BA1MM
BTA12-700CWRG
NGTB15N60S1EG
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
NGTB15N60S1EG
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
30 A
Power Dispation
47 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB15N60S1EG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор NGTB15N60S1EG в каталоге Components.by