История:
AC0201FR-0713KL
FD500R65KE3-K
FZ3600R12HP4
STGD5NB120SZ-1
IGW50N60TPXKSA1
FGB5N60UNDF
APTGT50H60T3G
T2535-600G
L4006V8TP
L4006L8TP
Q4X8E4
L4006D8TP
L401E5RP
L4006V5TP
L4006D5TP
L4008V8TP
L4X8E6
Q4025N5TP
L4008L8TP
L4X8E8
L4X8E5
L4004V8TP
Q4025J6TP
L4008D8TP
L4006L5TP
Q6006VH4TP
Q4025L5TP
Q401E3
L0107MTRP4
L4004L8
Q4015N5TP
Q6006L5
NGTB20N60L2TF1G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
NGTB20N60L2TF1G
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Power Dispation
64 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB20N60L2TF1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор NGTB20N60L2TF1G в каталоге Components.by