Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: Q6016LH4 5M40ZM64C4N IGW40N65F5AXKSA1 ZXTP25020DFLTA RGCL60TK60DGC11 Z0107MNT1G STGD5NB120SZT4 P1100EALRP2 TD190N16SOF LSP05G240PX3333 Q8008VH4 STGD10NC60KDT4 Q6N4RP 101KH10J BCR6CM-12RA Q6X4RP Q8008LH4 Q8012LH5 ZXTP25012EFHTA TD175N16SOF IHW40N60RF Q6N3RP Q6016LH4TP IXBOD1-21R Q6025L6 Q6016LH3TP Q601E3RP Q6X3RP Q8016LH4 IKD06N60RF Q6015L5 Q6025LH5TP Q6016NH3TP LSP05G120S APT2X101DL40J 105383 QJ6025JH6TP FS200R12PT4PBOSA1 ACT108-800EML APTC60AM45B1G QJ4025LH6TP 24062X SC82AAB TS3702CDT TS339CDT TS374CDT

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

NGTB30N65IHL2WG

Описание: NGTB30N65IHL2WG

Характеристики

Manufacturer ON Semiconductor

Collector-Emitter Voltage 650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 60 A

Power Dispation 300 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-NGTB30N65IHL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор NGTB30N65IHL2WG в каталоге Components.by