Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: A1C15S12M3 IXBOD1-26RD IGP50N60TXKSA1 T1635H-8G 5KP22C-T Z0103MA0,116 DBYS-02A63-C04 AT17LV010-10PI AC0603FR-07191RL KWant250-1C28SDP MG12450WB-BN2MM T3035H-8I AFGHL50T65SQDC 5M2210ZF324C5N FP10R12W1T4_B11 FP15R12W1T4_B11 K2400EH70AP RM4/I-3F36 ASO-205 AA1206JR-070RL BD5.1/2/4-4S2 AC0603FR-07100RL APTGT200A170D3G APTGL475SK120D3G FGH75T65SHD-F155 APTGTQ50TA65T3G AC0603FR-0716RL BTB12-800CWRG AC0201FR-0722R1L 2DC4617Q-7-F RM8/I-3C94

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

NGTB40N120L3WG

NGTB40N120L3WG

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

NGTB40N120L3WG

Описание: NGTB40N120L3WG

Характеристики

Manufacturer ON Semiconductor

Collector-Emitter Voltage 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 160 A

Power Dispation 454 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120L3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор NGTB40N120L3WG в каталоге Components.by