История:
IGP50N60TXKSA1
2036-35-BLF
NGTB40N120L3WG
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
NGTB40N120L3WG
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
160 A
Power Dispation
454 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB40N120L3WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор NGTB40N120L3WG в каталоге Components.by