Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG
NGTB60N65FL2WG
Артикул:
Описание: NGTB60N65FL2WG
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.64 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 100 A
Power Dispation 595 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB60N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.64 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 100 A
Power Dispation 595 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-NGTB60N65FL2WG: Биполярный транзистор с изолированным затвором