NSVJ5908DSG5T1G ON Semiconductor
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Производитель:
ON Semiconductor
Описание:
NSVJ5908DSG5T1G ON Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 15 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 0.7 V
Drain-Source Current at Vgs=0
32 mA
Id - Continuous Drain Current
50 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
3000
Forward Transconductance - Min
24 mS
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
MCPH-5
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
Qualification
AEC-Q101
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор NSVJ5908DSG5T1G ON Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент NSVJ5908DSG5T1G ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом NSVJ5908DSG5T1G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.