NSVJ6904DSB6T1G ON Semiconductor
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Производитель:
ON Semiconductor
Описание:
NSVJ6904DSB6T1G ON Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
25 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 1.2 V
Drain-Source Current at Vgs=0
40 mA
Id - Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Gate Voltage
25 V
Pd - Power Dissipation
400 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
78 mOhms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
40 mg
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
3000
Forward Transconductance - Min
40 mS
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
CPH6
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
Qualification
AEC-Q101
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор NSVJ6904DSB6T1G ON Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент NSVJ6904DSB6T1G ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом NSVJ6904DSB6T1G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.