История:
AC0603FR-07147KL
T410-800T
BTB08-800CW3G
Z0110SN 5AA4
M8A04Z-FMSRA-SC001B
IKB20N60TA
AC0603FR-072K26L
BCR 116 E6433
AC0603FR-071M5L
E18/4/10-3C97
2305B-1HDCG8
BUF08630RGWT
T1610H-6T
FGA20N120FTDTU
FZ1800R12HE4_B9
APTGT35H120T3G
MG06400D-BN4MM
MG1750S-BN4MM
APTGT150TA60PG
BD8/2/4-3S1
1462042-8
Z21D820
151KE20
VC020103V101WP
Q6006LH3TP
ZXTP19100CZTA
105526
L4N5RP
190196
108883
NXH80T120L2Q0P2TG
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Gate-Emitter Leakage Current
300 nA
Continuous Collector Current
67 A
Power Dissipation
158 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80T120L2Q0P2TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль NXH80T120L2Q0P2TG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by