PMBFJ309,215 NXP Semiconductors
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Производитель:
NXP Semiconductors
Описание:
PMBFJ309,215 NXP Semiconductors
Характеристики
Manufacturer
NXP
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
25 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 4 V
Drain-Source Current at Vgs=0
10 mA
Id - Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Gate Voltage
- 25 V
Pd - Power Dissipation
250 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
50 Ohms
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Height
1 mm
Length
3 mm
Width
1.4 mm
Unit Weight
8 mg
Brand
NXP Semiconductors
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
3000
Forward Transconductance - Min
10 mS
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SOT-23-3
Packaging
Reel
Part # Aliases
934008990215
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
PMBFJ309
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор PMBFJ309,215 NXP Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент PMBFJ309,215 NXP Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом PMBFJ309,215 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.