История:
FGH40N120ANTU
0ZCG0260AF2B
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RGCL60TS60GC11
RGCL60TS60GC11
RGCL60TS60GC11
Артикул:
Описание:
RGCL60TS60GC11
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Power Dispation
111 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TS60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Power Dispation
111 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGCL60TS60GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором

