История:
IGP30N60H3
TJC1020LF-T3
RGT00TS65DGC11
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RGT00TS65DGC11
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
85 A
Power Dispation
277 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор RGT00TS65DGC11 в каталоге Components.by