История:
GMW-1/100
MT160C16T2-BP
RGT16BM65DTL
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RGT16BM65DTL
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
16 A
Power Dispation
94 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT16BM65DTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором

