История:
0ZCG0260AF2B
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RGT30NL65DGTL
RGT30NL65DGTL
RGT30NL65DGTL
Артикул:
Описание:
RGT30NL65DGTL
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
30 A
Power Dispation
133 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
30 A
Power Dispation
133 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT30NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором

