История:
RB501D0J
AT91SAM9G15-CU
2PC4081S,115
RGT40NS65DGC9
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RGT40NS65DGC9
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Power Dispation
161 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT40NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором

