Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RGT50NS65DGC9

RGT50NS65DGC9

RGT50NS65DGC9
RGT50NS65DGC9
Артикул:
Описание: RGT50NS65DGC9
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 48 A
Power Dispation 194 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 48 A
Power Dispation 194 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NS65DGC9: Биполярный транзистор с изолированным затвором