История:
245422-020
RGT50NS65DGTL
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RGT50NS65DGTL
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Power Dispation
194 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT50NS65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор RGT50NS65DGTL в каталоге Components.by