История:
IGB20N60H3
5M80ZM64C5N
AC0201JR-074R7L
AC0201JR-07360KL
AC0201FR-074K02L
FP15R12KS4C
Z0107MN,135
QK008VH3
BTA25-600B
K1200E70AP
ADC114YUQ-7
ADC143ZUQ-7
AC0201FR-07499RL
B59008C0100A040
AC0201FR-071K2L
AC0201FR-072K1L
2DA1774Q-7-F
IXYN82N120C3H1
FZ400R33KL2C_B5
FZ600R12KE3
ZV20K2220122NIR1HT
APTGLQ75H120TG
APT15GP60BDQ1G
BCR3FM-14LB
STGWA25H120DF2
184350
195573
RGT60TS65DGC11
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RGT60TS65DGC11
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
55 A
Power Dispation
194 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT60TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор RGT60TS65DGC11 в каталоге Components.by