История:
DGH95-01P-41
APTGT25X120T3G
FF1000R17IE4D_B2
RM4/I-3C96
F3L150R12W2H3_B11
BCR 142 E6327
DG16R-B-02P
STGW40NC60KD
AT90PWM316-16MUR
0W888-002-XTP
K1500E70
ROD8/100-3C90
BCR 183 E6433
AC0603FR-07150RL
Q6040PH5-E
ROD8/50-3C90
AC0603FR-07102RL
TIG074E8-TL-H
FF200R17KE3_S4
AC0603FR-0718R2L
DCW12W8-05
BTB16-600BWRG
AC0603FR-07274RL
RM14/I-3F4
KWant250-1C05SDP
RGT80TS65DGC11
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RGT80TS65DGC11
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
70 A
Power Dispation
234 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT80TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор RGT80TS65DGC11 в каталоге Components.by