История:
F1857CCH1600
BCR10CM-16LH
RC1210JR-071ML
RGT8NL65DGTL
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RGT8NL65DGTL
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
8 A
Power Dispation
65 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGT8NL65DGTL: Биполярный транзистор с изолированным затвором

