Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RGTH00TS65DGC11

RGTH00TS65DGC11

RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11
Артикул:
Описание: RGTH00TS65DGC11
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 85 A
Power Dispation 277 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 85 A
Power Dispation 277 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH00TS65DGC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором